Übergangsmetallnitride für die Mikroelektronik
Im Rahmen eines vom Europäischen Fonds für regionale Entwicklung (EFRE) mit 2,8 Millionen Euro geförderten Forschungsprojekts werden mittels der sogenannten Sputter-Epitaxie-Technik Übergangsmetallnitride erstmals effizient und anwendungsbezogen erzeugt und die Eigenschaften so optimiert, dass gänzlich neue technologische Anwendungsfelder daraus erwachsen.
Das Forschungsprojekt wird unter dem Titel „Entwicklung neuer Übergangsmetall-Gruppe-III-Nitrid Halbleiterschichten für die Mikroelektronik“ vom Europäischen Fonds für regionale Entwicklung EFRE unter dem Förderkennzeichen ZS/2023/12/182333 bis Ende 2027 gefördert.
